В настоящее время широкое распространение получило использование инверторов. Главную величину выходного напряжения инвертора можно поддерживать постоянной, реализуя управление внутри инвертора, для которого не требуется внешняя схема управления. Самый эффективный способ сделать это — использовать широтно-импульсную модуляцию (ШИМ), используемую внутри инвертора. В этой статье мы рассмотрим однофазные инверторы.

Потребление энергии будет продолжать увеличиваться по мере увеличения уровня производства при обеспечении его роста. Экономическое развитие является физическим и совершенно автоматическим, основанным на управляемых машинах, оно потребляет только энергию и может быть ускорено только за счет повышения уровня производства.

В статье исследованы плотность состояний валентных электронов, параметры энергетических зон, энергетические, оптические и электрофизические свойства пленок оксидов металлов и силицидов толщиной ≤ 40 Å, образующихся на поверхности Si/Cu в процессе ионной имплантации и отжига.

В работе исследованы состав, морфология и электронная структура нанопленок SiO2 различной толщины, созданных термическим окислением на поверхности Si(111). Показано, что до толщины 30–40 Å пленка имеет островной характер. При d ≥ 60 Å формируется однородная сплошная пленка SiO2, стехиометрическая шероховатость поверхности не превышает 1,5 – 2 нм. Независимо от толщины пленок SiO2 заметной взаимной диффузии атомов на границе SiO2-Si не наблюдается. Определены закономерности изменения состава, степени покрытия поверхности и энергии плазменных колебаний при изменении толщины пленок SiO2/Si(111) от 20 до 120 Å.

В данной статье было рассмотрено сравнение микроконтроллеров Atmel ATmega48, Atmel ATmega88 и Atmel ATmega168.