Abstract. Исследована одна из важнейших фотоэлектрические характеристик гетероструктурных CdS/CdTe и CdО/CdTe фотоприемников на основе поликристаллических слоев CdТе, такая как внешний квантовый выход. Установлено, что величина внешнего квантового выхода в коротковолновой части спектра электромагнитного излучения зависит от ширины запрященой зоны слоя фронтального буферного слоя гетероперехода. При использовании широкозонного буферного слоя CdO (Eg = 2.70±0.05 эВ), вместо CdS (Eg = 2.45±0.05 эВ), величина внешнего квантового выхода достигает своего максимума уже на длины волны 0,63 мкм и остается неизменной вплоть до длины 800 нм, в то время как в гетероструктуре CdS/CdTe максимум достигается на длине волне 760 нм и остается неизменной до 820 нм. Наблюдаемые эффекты связаны с увеличением фотогенерации неравновесных носителей заряда в фотоактивной части слоя CdTe за счет уменьшения поглощения в буферном фронтальном слое.