Abstract. В данной работе изучено влияние облучения γ-квантами Со60 на оптические характеристики одиночных и нескольких сжато-напряжённых КЯ CdхZn1-хТe/ZnTe/GaAs с составом х=0,2-0,4 выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изучались расплывание квантовых ям после облучения γ-квантами.