Abstract. МПЭ усылы менен өсирилген ҳәр қыйлы қалыңлықтағы ZnSe/(001) GaAs эпитаксиаль жуқа пленкасының фотолюминесценция усылы менен терең қатламларындағы нурланыў спектрлери анықланылды. Эпитаксиаль пленканың дефектлерге ҳәм басқа элементлердиң концентрациясына байланыслы нурланыў спектрлериниң үш бөлимнен туратуғынлығы аныкланды.