Abstract. В работе исследованы состав, морфология и электронная структура нанопленок SiO2 различной толщины, созданных термическим окислением на поверхности Si(111). Показано, что до толщины 30–40 Å пленка имеет островной характер. При d ≥ 60 Å формируется однородная сплошная пленка SiO2, стехиометрическая шероховатость поверхности не превышает 1,5 – 2 нм. Независимо от толщины пленок SiO2 заметной взаимной диффузии атомов на границе SiO2-Si не наблюдается. Определены закономерности изменения состава, степени покрытия поверхности и энергии плазменных колебаний при изменении толщины пленок SiO2/Si(111) от 20 до 120 Å.